How Similar Can Fractional Chern Insulators Be to Fractional Quantum Hall States? Moiré-Enhanced Gaps and Excitation-Spectrum Correspondence
Este artículo establece un principio teórico que demuestra que, al suprimir selectivamente las modulaciones de densidad electrónica de vector de onda pequeño y amplificar las de vector de onda grande en bandas de Chern planas, el gap del aislante de Chern fraccionario y el espectro de excitación pueden mejorarse arbitrariamente y hacerse correspondientes de manera predecible a estados de efecto Hall cuántico fraccionario, proporcionando así diagnósticos prácticos para estados no abelianos robustos en sistemas de moiré.