Controlled Fabrication of Uniform Columnar Porous GaN Architectures by Electrochemical Etching
Este estudio demuestra que la adición de iones hidroxilo a las soluciones de grabado electroquímico permite la fabricación controlada de arquitecturas de GaN porosas, columnares, alineadas verticalmente y uniformes mediante un mecanismo de reacción distintivo, ofreciendo una ruta versátil para la ingeniería de estructuras de alta porosidad para aplicaciones optoelectrónicas.