Role of Local Structural Variation in X-ray Photoelectron Spectrum of Silicon Oxide Interfaces
El estudio demuestra que los amplios espectros de fotoelectrones de rayos X de las interfaces de óxido de silicio resultan de una distribución estadística continua de las energías de enlace de los niveles nucleares a través de diversos motivos estructurales locales, lo que oscurece las huellas químicas distintivas y desafía los métodos convencionales de asignación espectral.