Ab Initio Transfer Length Method Simulations of Tunneling Limits in 2D Semiconductors
Este estudio presenta un marco de simulación *ab initio* basado en el método de línea de transmisión para caracterizar los límites cuánticos de la resistencia de contacto en semiconductores 2D como el MoS₂, identificando la transición entre el túnel directo y la emisión termoiónica y proponiendo estrategias óptimas de contacto para transistores de próxima generación.