Synchrotron-radiation X-ray topography and reticulography of bulk -GaO crystals grown from a crucible-free melt
Este estudio utiliza topografía y reticulografía de rayos X con radiación de sincrotrón para caracterizar la alta calidad cristalina y la distribución de dislocaciones en cristales de -GaO crecidos mediante el método de crisol frío, revelando la formación de una desorientación de red tipo torsión y una densidad de dislocaciones helicoidales que varía según la región del cristal.