Device-area selection of memristive transport regimes in epitaxial -based ferroelectric devices
Este estudio demuestra que los dispositivos ferroeléctricos basados en HfZrO epitaxiales exhiben regímenes coexistentes de túnel dependiente del área y conducción localizada, con una transición estadística a aproximadamente 10 que se correlaciona con el despertar ferroeléctrico y la redistribución de vacantes de oxígeno.