Spin-Orbit Coupling Effects on the Structural and Electronic Properties of Planar Pentagonal p-MS (M = Si, Ge, and Pb)
Este estudio emplea la teoría del funcional de la densidad para demostrar que el acoplamiento espín-órbita altera significativamente las propiedades estructurales y electrónicas de los materiales planos pentagonales p-MS (M = Si, Ge, Pb), estabilizando las variantes de Ge y Pb mientras induce una transición de metal a semiconductor en p-PbS con un bandgap de 0.475 eV, sugiriendo así su potencial para aplicaciones de detección de gases.