Digital Etching of Single-Crystalline Silicon Fin Barriers Down to Sub-10 nm
Este artículo presenta un proceso de fabricación que combina el grabado húmedo anisotrópico con una técnica de grabado digital de oxidación por recocido térmico rápido y grabado con ácido fluorhídrico en fase vapor para producir aletas de silicio monocristalino de alta relación de aspecto y espesor inferior a 10 nm, estableciendo así una vía escalable para la creación de cúbits superconductores con barreras dieléctricas de Si monocristalino.