Rapid Atmospheric Vapor Deposition of H:In2O3 Transparent Conducting Oxide Thin Films
Este artículo demuestra que la deposición química de vapor a presión atmosférica (AP-CVD) a temperaturas moderadas (140 °C) puede sintetizar rápida y rentablemente películas de óxido conductor transparente H:In2O3 de alto rendimiento con conductividad y transmitancia superiores a las normas comerciales, utilizando dopantes de hidrógeno derivados del agua para mejorar significativamente la movilidad de los portadores.