Device contacts as spin-state selectors for silicon vacancies in 4H-SiC
Este estudio revela que los contactos de níquel estándar en dispositivos de carburo de silicio perturban significativamente el entorno magnético de los espines de vacante de silicio, suprimiendo su emisión característica de estado cuarteto e induciendo estados de doblete de espín no deseados, lo que resalta la necesidad crítica de una selección cuidadosa del material de contacto para preservar la coherencia cuántica.