Molecular Nitrogen Formation in Nitrogen-Implanted (100) Revealed by Temperature-Dependent -edge XANES
Este estudio revela que el nitrógeno implantado en forma preferentemente configuraciones moleculares de en lugar de actuar como aceptores de sustitución, proporcionando una explicación microscópica del fracaso persistente de la dopaje tipo basado en nitrógeno en este semiconductor de banda ancha.