The study of bulk damage of high gamma-irradiated -in- silicon diodes
Este estudio investiga el daño en el volumen de diodos de silicio -en- de alta concentración de oxígeno y resistividad variable sometidos a una irradiación gamma de alta dosis, revelando un aumento lineal en la corriente de fuga, una evolución no monotónica del voltaje de deplexión total impulsada por la eliminación de aceptores y una notable ausencia de efectos de recocido en las características eléctricas.