Radiation effects on surface and bulk properties of ATLAS18 silicon sensors under low- and high-dose gamma irradiation and annealing
Este estudio caracteriza exhaustivamente los efectos de la radiación superficial y volumétrica, incluyendo las corrientes de fuga, el voltaje de agotamiento y el comportamiento de recocido térmico, en sensores de silicio ATLAS18 irradiados con rayos gamma a través de un amplio rango de dosis, desde niveles operativos bajos hasta dosis ultraaltas, para asegurar su fiabilidad para el ATLAS Inner Tracker en el HL-LHC.