Self-oriented Seed Formation and Dynamic Annular-Gap Evolution During Sustained Long-length Entirely Detached Crystal Growth in the Vertical Directional Solidification (VDS)
Este estudio demuestra que se logra el crecimiento de cristales completamente desprendidos de gran longitud y sostenidos de semiconductores basados en Sb mediante un proceso de Solidificación Direccional Vertical (VDS) a través de la formación de una semilla autoorientada y la evolución subsecuente de un espacio anular dinámico, resultando en cristales con una perfección estructural significativamente mejorada y densidades de dislocación reducidas.