Effect of Thermal Annealing on the Structural, Optical, and Photodetection Properties of β-Ga2O3 Thin Films Grown by the Sol-Gel Method on SiO2/Si Substrates
Este estudio demuestra que el recocido térmico de películas delgadas de β-Ga2O3 derivadas de sol-gel sobre sustratos de SiO2/Si transforma eficazmente precursores amorfos en estructuras policristalinas con brechas de banda sintonizables y propiedades de fotodetectación mediadas por vacantes de oxígeno, permitiendo la fabricación de fotodetectores planos de respuesta rápida.