Characteristics of GaAs Thin Films Grown by MOVPE Using Triethylgallium (TEGa) and Tertiarybutylarsine (TBAs)
Este estudio demuestra que se pueden cultivar con éxito películas delgadas de GaAs homoepitaxial no dopadas y de alta calidad, con superficies lisas, bajas concentraciones de portadores y alta movilidad, utilizando precursores de trietilgalio (TEGa) y terc-butilarsina (TBAs) a temperaturas de crecimiento de 600 °C o superiores, superando significativamente a las películas cultivadas a temperaturas más bajas.