Oxygen-vacancy quantum spin defects in silicon carbide
Cette étude établit de manière définitive que les centres PL5 et PL6 dans le carbure de silicium 4H-SiC sont des défauts spin quantiques à base de lacunes d'oxygène (), en fournissant des preuves directes via un contrôle chimique et isotopique qui ouvre la voie à l'ingénierie déterministe de ces défauts pour les capteurs et réseaux quantiques.