Reducing non-linear effects in Kelvin Probe Force Microscopy of back-gated 2D semiconductors
Cette étude démontre que l'utilisation d'un diélectrique hBN suffisamment mince permet de réduire les effets non linéaires en microscopie à sonde de Kelvin (KPFM) sur des semi-conducteurs 2D, rendant ainsi la technique fiable pour mesurer avec précision les propriétés électroniques telles que les bandes interdites du WSe2.