First-principles predictions of band alignment in strained Si/Si1-xGex and Ge/Si1-xGex heterostructures
En utilisant la théorie de la fonctionnelle de la densité et des structures quasi-aléatoires spéciales, cette étude prédit avec précision les décalages de bande non linéaires dans les hétérostructures Si/Si₁₋ₓGeₓ et Ge/Si₁₋ₓGeₓ sous contrainte, fournissant des expressions analytiques essentielles pour la conception de dispositifs de technologie quantique.