Photogalvanic Effects in Surface States of Topological Insulators under Perpendicular Magnetic Fields
Cette étude théorique démontre que le courant de décalage photogalvanique dans les états de surface de l'isolant topologique BiSe sous un champ magnétique perpendiculaire est hautement réglable par le potentiel chimique et le champ magnétique, générant des réponses non linéaires fortes et discrètes sous forme de raies lorentziennes pour des transitions optiques inter- et intra-bandes spécifiques.