Electric-Field Control of Quantum Tunneling Regimes in Focused He-Ion-Beam-Irradiated Oxide Interfaces
Cette étude démontre que l'irradiation par faisceau d'ions hélium permet de créer des barrières de potentiel nanométriques contrôlables par champ électrique au sein d'interfaces d'oxydes, ouvrant la voie à la manipulation de différents régimes de tunnel quantique pour des transistors à effet de champ.