Heating of black-Si by microwaves at 2.45 GHz: effect of nano-needle orientation
Cette étude démontre que le chauffage par micro-ondes du silicium noir à 2,45 GHz est significativement amplifié et dépendant de l'orientation, les nano-aiguilles alignées verticalement atteignant des températures plus élevées que le silicium plat et les aiguilles inclinées présentant un retard distinct dans l'amorçage du chauffage, le tout étant piloté par la génération de porteurs thermiquement activés et par des effets de biréfringence de forme.