Hot carrier diffusion-assisted ideal carrier multiplication in monolayer MoSe2
Cette étude démontre que la monocouche de MoSe2 atteint une efficacité maximale théorique de multiplication de porteurs grâce à la suppression de la diffusion porteurs-réseau et à l'abondance de voies d'emboîtement de bandes 2Eg, surpassant ainsi son homologue massif et se positionnant comme un candidat prometteur pour les applications optoélectroniques de nouvelle génération.