Topological Magneto-Optical Switching in Even-Layered MnBiTe
Cette étude démontre que l'alignement relatif des spins dans les couches externes de films MnBiTe permet de commuter de manière contrôlée entre des états isolants axioniques et des états isolants de Chern, offrant ainsi une voie pour le commutateur magnéto-optique multiniveau basé sur l'épaisseur.