Electron transport in a 1.6~nm-thick double-gated (100) silicon nanosheet: A theoretical study accounting for phonon confinement and remote-phonon scattering
Cette étude théorique démontre que dans les nanofeuilles de silicium d'une épaisseur de 1,6 nm, les conditions aux limites réalistes de confinement des phonons réduisent significativement la mobilité à température ambiante et abaissent la vitesse de saturation en champ élevé, tandis que la diffusion par phonons distants provenant de couches de grille à haute constante diélectrique a un impact négatif négligeable sur la mobilité en champ faible et améliore en fait la vitesse de saturation en refroidissant les électrons.