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Multiphysics simulations of microstructure influence on hysteresis and eddy current losses of electrical steel

Cet article utilise des simulations micromagnétiques et l'homogénéisation computationnelle sur des microstructures d'acier Fe-Si numérisées, imprimées par jet de liant, pour démontrer que l'optimisation de la taille des grains et de l'épaisseur de la phase aux joints de grains peut réduire efficacement les pertes par hystérésis et les pertes par courants de Foucault dans l'acier électrique.

Epstein zeta method for many-body lattice sums

Cet article introduit une méthode efficace basée sur la fonction zêta d'Epstein qui transforme le calcul des sommes de réseaux à n-corps, passant d'une sommation directe de complexité exponentielle à des intégrales singulières de coût linéaire, permettant ainsi des études de haute précision des interactions à trois corps telles que le potentiel d'Axilrod-Teller-Muto et révélant des transitions structurelles induites par la pression dans les systèmes de la matière condensée.

Anomalous phonon magnetic moments

Cet article identifie trois cas anormaux — les phonons axiaux sans rotation, les rapports gyromagnétiques divergents et les rapports gyromagnétiques anisotropes — qui démontrent que les moments magnétiques des phonons ne peuvent être pleinement expliqués par les cadres conventionnels, révélant ainsi de nouveaux aspects du magnétisme des phonons et suggérant l'existence d'un ordre caché phononomagnétique.

Crystal field tuned spin-flip luminescence in NiPS3

Cet article résout le débat entourant la nature de la photoluminescence intense du NiPS3 en combinant des expériences de substitution et des calculs théoriques pour démontrer que l'émission provient d'une transition de basculement de spin ajustée par le champ cristallin entre un état fondamental triplet et un état excité singulet, établissant ainsi un lien fondamental entre les propriétés optiques du matériau et son ordre magnétique.

Vanadium-doped HfO$_2$, multiferroic uncompromised

Des calculs ab initio révèlent que le dopage au vanadium à faible concentration dans l'HfO$_2$ orthorhombique produit un isolant multiferroïque robuste qui maintient une bande interdite significative et une polarisation intrinsèque tout en présentant un ferromagnétisme à croissance linéaire.

Electron-phonon-coupled Langevin dynamics for strongly-correlated insulators

Cet article dérive des équations de Landau-Lifshitz-Gilbert stochastiques généralisées à partir de principes fondamentaux pour les isolants de Mott à couplage spin-orbite en incorporant les interactions électron-phonon via un formalisme de chemin de Keldysh, établissant ainsi un cadre microscopique qui capture avec précision la dynamique de spin dissipative, les fluctuations thermiques et les processus de relaxation hors équilibre.

TEM Agent: enhancing transmission electron microscopy (TEM) with modern AI tools

Cet article présente TEM Agent, un cadre qui exploite les grands modèles de langage et le Model Context Protocol pour permettre le contrôle textuel des sous-systèmes de microscopie électronique en transmission, de la gestion des données et des ressources de calcul haute performance, simplifiant ainsi les flux de travail complexes sans nécessiter d'entraînement de modèle supplémentaire.

Quantum control of Hubbard excitons

Cette étude démontre le contrôle quantique d'un exciton de Hubbard fortement corrélé dans l'isolant de Mott unidimensionnel Sr$_2$CuO$_3$ en utilisant l'ingénierie de Floquet dans le moyen infrarouge non résonnant pour piloter des rotations ultrarapides entre états brillants et sombres, tel que quantifié par la génération de troisième harmonique résonnante.

Zero Indirect Band Gap and Flat Bands in a Niobium Oxyiodide Cluster Material

À travers une chimie exploratoire impliquant le NbI$_4$, le Li$_2$(CN$_2$) et le Li$_2$O, des chercheurs ont découvert et caractérisé structuralement deux nouveaux composés de clusters d'oxyiodure de niobium, Nb$_6$O$_3$I$_{15}$ et Nb$_{11}$O$_6$I$_{24}$, ce dernier présentant une structure unique en forme de chaîne que les calculs DFT révèlent posséder un gap indirect nul et des bandes plates indicatrices d'états électroniques inter-clusters fortement corrélés.

Electrostatic Charge Model for Dual-Layer Oxide Thin-Film Transistors