4 MV/cm (010) -GaO Heterojunction Diodes Realized by Low-Damage e-Beam NiO Interlayers
Cet article rapporte la fabrication de diodes à hétérojonction à plaque de champ haute performance sur des films de -GaO (010) issus de croissance par MOCVD, qui atteignent un champ de claquage critique record de 4,02 MV/cm et un facteur méritique de puissance supérieur à 1 GW/cm en utilisant une couche intermédiaire de NiO déposée par faisceau d'électrons à faible dommage pour atténuer les dommages ioniques induits par la pulvérisation cathodique.