Oxide-nitride heteroepitaxy for low-loss dielectrics in superconducting quantum circuits
Cette étude présente la croissance d'une hétéroépitaxie de TiN/γ-Al₂O₃/TiN par dépôt laser pulsé et démontre que ce diélectrique cristallin présente une faible perte micro-onde intrinsèque, offrant ainsi une plateforme prometteuse pour les circuits quantiques supraconducteurs.