ALD Zinc Tin Oxide Buffers for Chalcopyrite Solar Cells: Electrical Barriers and Conduction Band Cliffs
Cette étude démontre que la teneur en étain dans les couches tampons ZnSnO déposées par ALD module directement l'alignement de la bande de conduction, où un faible taux crée une « falaise » réduisant la tension de circuit ouvert et un taux élevé crée une barrière limitant le courant et le facteur de remplissage, affectant ainsi différemment les cellules solaires à absorbeurs chalcopyrites selon leur niveau de bande de conduction.