Localized Energy States Induced by Atomic-Level Interfacial Broadening in Heterostructures
Cette étude établit un cadre théorique et confirme expérimentalement que l'élargissement interfacial à l'échelle atomique dans les super-réseaux (SiGe)m/(Si)m induit des niveaux d'énergie localisés, créant de nouvelles transitions optiques entre 2 et 2,5 eV qui permettent de sonder de manière non destructive la structure atomique de ces interfaces.