Filamentary Transport and Thermoelectric Effects in Mushroom Phase Change Memory Cells
Cette étude utilise des simulations électrothermiques par éléments finis en 2D pour démontrer que les effets thermoélectriques et le transport filamentaire dans les cellules de mémoire à changement de phase de type « champignon » à base de GeSbTe réduisent considérablement l'énergie et la puissance de Reset lorsque le courant circule de l'électrode supérieure vers l'électrode inférieure étroite, tout en révélant également que le volume de programmation est indépendant des dimensions de contact au-dessus de 10 nm et que des contacts plus larges sacrifient une variabilité accrue au profit d'une meilleure fiabilité.