Stacking Polarity-Controlled Interlayer Photocarrier Dynamics in MoSe2/MoS2 Heterostructures
Cette étude démontre que la polarité d'empilement sert de paramètre de contrôle global pour la dynamique des photoporteurs inter-feuillets dans les hétérostructures de MoSe/MoS, où l'ingénierie de la terminaison d'interface dans un empilement 3R permet un réglage déterministe des taux de transfert de charge et des durées de vie des excitons inter-feuillets en modulant le recouvrement des fonctions d'onde interfaciales.