Field-Driven Hybrid Filament Formation Governs Switching in Ta-HfO-Pt Memristors
Cette étude utilise des simulations de dynamique moléculaire avec transfert de charge dynamique pour révéler que la commutation dans les mémoires résistives Ta/HfO/Pt est régie par la formation pilotée par le champ de filaments hybrides composés à la fois de cations de Ta et de lacunes d'oxygène, démontrant comment les configurations initiales de défauts dictent la morphologie des filaments et offrant un cadre robuste pour réduire la variabilité des dispositifs.