Observation of quasi-steady dark excitons and gap phase in a doped semiconductor
En utilisant la spectroscopie de photoémission résolue en angle sur le SnSe2 dopé, cette étude révèle la création et le contrôle d'excitons sombres en quasi-équilibre, conduisant à l'observation d'une phase de gap excitonique anisotrope et élargissant ainsi le champ d'étude de ces états au-delà des échelles de temps ultrarapides.