Buried Stressor Engineering for Position-Controlled InGaAs Quantum Dots with Local Density Variation for Integrated Quantum Photonics
Les auteurs rapportent la croissance épitaxiale monolithique en deux étapes de boîtes quantiques InGaAs contrôlées en position par une méthode de contrainte enfouie, permettant une variation locale de densité et un positionnement précis pour l'intégration de sources de photons uniques et de microlasers sur une puce photonique unique.