Room-temperature magnetic p-n junctions for charge-and-spin diodes
Cet article présente le développement de jonctions p-n magnétiques à température ambiante, combinant un semi-conducteur magnétique amorphe de type p et du silicium de type n, qui fonctionnent comme des diodes de charge et de spin et démontrent une amplification magnétique significative grâce à la manipulation des charges spatiales polarisées en spin.