Bismuth Films on EuO(111) as a Platform for Proximity-Induced Topological States
Cette étude rapporte la réalisation expérimentale de films épitaxiaux de bismuth sur un isolant ferromagnétique EuO(111), démontrant la formation d'une phase α-bismuthène présentant un état isolant de Hall quantique robuste avec des états de bord localisés, ce qui valide cette hétérostructure comme plateforme prometteuse pour l'observation de phases topologiques d'ordre supérieur.