Dislocations in (011)-oriented vertical Bridgman -GaO substrates
Cette étude utilise la topographie aux rayons X et la réticulographie pour caractériser les réseaux de dislocations et les limites de domaines dans des substrats de -GaO épitaxiés par méthode de Bridgman verticale orientés (011), révélant leurs orientations cristallographiques spécifiques et fournissant des informations cruciales sur la formation de défauts pertinentes pour la croissance épitaxiale et les performances des dispositifs.