In-situ operation of amorphous circuits under heavy-ion irradiation
Cette étude démontre le fonctionnement in situ robuste d'un circuit de semi-conducteur à couche mince amorphe de 100 transistors sous irradiation par ions lourds, exécutant avec succès une séquence de sortie « Hello World » à des flux de particules élevés et établissant un nouveau jalon pour l'électronique numérique tolérante aux radiations dans les environnements extrêmes.