Spin-Orbit Coupling Effects on the Structural and Electronic Properties of Planar Pentagonal p-MS (M = Si, Ge, and Pb)
Cette étude utilise la théorie de la fonctionnelle de la densité pour démontrer que le couplage spin-orbite modifie considérablement les propriétés structurelles et électroniques des matériaux p-MS₂ (M = Si, Ge, Pb) plans pentagonaux, stabilisant les variantes Ge et Pb tout en induisant une transition métal-semiconducteur dans le p-PbS₂ avec une largeur de bande de 0,475 eV, suggérant ainsi son potentiel pour des applications de détection de gaz.