Nonlinear Elasticity at the Damage Threshold of Semiconductor Nanocrystals
Cette étude examine la réponse photoacoustique non linéaire de nanocristaux de phosphure d'indium sur des réseaux de nanot pointes en silicium, révélant qu'une excitation laser à haute fluence induit une élasticité non linéaire pilotée par la contrainte et un mélange de fréquences, modélisés par une loi de Hooke étendue et liés à des effets d'oxydation, ce qui fait progresser la compréhension des limites mécaniques et du contrôle optomécanique dans les nanostructures semi-conductrices.