Rapid Atmospheric Vapor Deposition of H:In2O3 Transparent Conducting Oxide Thin Films
Cet article démontre que le dépôt chimique en phase vapeur à pression atmosphérique (AP-CVD) à des températures modérées (140 °C) permet de synthétiser rapidement et à faible coût des films d'oxyde conducteur transparent H:In2O3 haute performance, offrant une conductivité et une transmittance supérieures aux standards commerciaux, en utilisant des dopants hydrogène dérivés de l'eau pour améliorer considérablement la mobilité des porteurs.