Vacancy-Enhanced Bonding and Deep Level Complex Defect Formation in
Les calculs basés sur les premiers principes révèlent que les complexes de défauts liés à l'azote dans le , en particulier ceux renforcés par des lacunes d'oxygène et de gallium, forment des centres de piégeage profonds stables qui introduisent des états électroniques localisés au sein de la bande interdite, limitant ainsi le transport des porteurs et favorisant un comportement semi-isolant.