Scaling Two-Dimensional Semiconductor Nanoribbons for High-Performance Electronics
Cette étude démontre que la mise à l'échelle des transistors à rubans nanométriques de TMD monocouche vers des largeurs d'environ 30 à 40 nm améliore considérablement les performances des dispositifs en réduisant la résistance de contact et en optimisant l'électrostatique, permettant d'atteindre des densités de courant en état passant élevées qui positionnent ces matériaux comme des candidats prometteurs pour l'électronique future ultra-miniaturisée.