A flexible kinetic Monte Carlo framework for GaN molecular beam epitaxy with adaptive on-the-fly barrier evaluation
Cet article présente un cadre de Monte Carlo cinétique sur réseau, flexible et évolutif, pour la simulation de l'épitaxie par jets moléculaires du GaN, qui intègre des catalogues d'énergies d'activation prédéfinis avec des évaluations de barrières adaptatives et apprises par apprentissage automatique en temps réel afin de modéliser avec précision des phénomènes de croissance complexes tels que la formation d'îlots, le mûrissement d'Ostwald et la dérive d'îlots induite par la température.