K-shell ionization and characteristic x-ray radiation by high-energy electrons and positrons in oriented silicon crystals
Cette étude utilise des simulations informatiques pour analyser l'ionisation de la couche K et le rayonnement X caractéristique produits par des électrons et des positrons de haute énergie (1 à 1000 GeV) dans des cristaux de silicium orientés, révélant une évolution non monotone de la distribution angulaire de ce rayonnement en fonction de l'angle d'incidence et de l'énergie, ainsi que l'influence du processus de décanalage sur les électrons.