Revealing the (111) surface electronic structure of epitaxially grown NaKSb photocathode
Cette étude rapporte la première croissance épitaxiale de films NaKSb sur du SiC recouvert de graphène, permettant l'identification des états électroniques de surface (111) par ARPES et DFT, et démontrant que l'ordre cristallin du film est préservé après activation Cs/Sb pour faciliter les améliorations futures des photocathodes multialcalines.