Second order unfitted ghost-FEM for elliptic interface problems with applications to low-dimensional semiconductor devices
Cet article présente une méthode d'éléments finis fantômes non ajustée du second ordre pour la résolution de problèmes d'interface elliptiques sur des grilles cartésiennes fixes, laquelle est validée sur des tests de référence et appliquée avec succès pour simuler le comportement électrostatique et les caractéristiques de transfert des transistors à effet de champ en graphène au sein d'un cadre auto-cohérent de type drift-diffusion-Poisson.