Novel High-Radiopurity Doped Amorphous Silicon Resistors for Low-Background Detectors
Cette étude présente le développement de prototypes de résistances en silicium amorphe faiblement dopé, offrant une ultra-haute radiopureté et des performances cryogéniques optimales pour les instruments de détection de physique nucléaire, tels que l'expérience nEXO.