AlGaN/GaN heterojunction field effect transistor structure integrated photoelectrode probe with optical artifact suppression function
Cet article présente une sonde photoélectrode intégrée utilisant des transistors à effet de champ à hétérojonction AlGaN/GaN avec une architecture d'enregistrement différentielle pour stimuler simultanément les neurones et acquérir des signaux électrophysiologiques de haute qualité tout en supprimant les artefacts optiques de 90 %.